Ostaa IXTQ280N055T BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXTQ280N055T
- Osa numero:
- IXTQ280N055T
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 55V 280A TO-3P
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 13193 Pieces
- Tietolomake:
- IXTQ280N055T.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXTQ280N055T, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXTQ280N055T sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-3P |
| Sarja: | TrenchMV™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 3.2 mOhm @ 50A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 550W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IXTQ280N055T |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 9700pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 200nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 55V 280A (Tc) 550W (Tc) Through Hole TO-3P |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 55V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 55V 280A TO-3P |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 280A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXTQ280N055T
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
CEDM7001 TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT-883 | tiedustelu |
 |
IXTQ250N075T | IXYS | MOSFET N-CH 75V 250A TO-3P | tiedustelu |
|
IXTQ240N055T | IXYS | MOSFET N-CH 55V 240A TO-3P | tiedustelu |
|
IXTQ26N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P | tiedustelu |
|
IXTQ22N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P | tiedustelu |
|
IXTQ200N075T | IXYS | MOSFET N-CH 75V 200A TO-3P | tiedustelu |
 |
SI7465DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8 | tiedustelu |
 |
BSC025N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 | tiedustelu |
|
IXTQ220N055T | IXYS | MOSFET N-CH 55V 220A TO-3P | tiedustelu |
|
IXTQ200N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P | tiedustelu |
|
IXTQ26P20P | IXYS | MOSFET P-CH 200V 26A TO-3P | tiedustelu |
|
IXTQ200N06P | IXYS | MOSFET N-CH 60V 200A TO-3P | tiedustelu |
 |
DMN61D9U-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23 | tiedustelu |
|
IXTQ200N085T | IXYS | MOSFET N-CH 85V 200A TO-3P | tiedustelu |
|
IXTQ230N085T | IXYS | MOSFET N-CH 85V 230A TO-3P | tiedustelu |
|
IXTQ28N15P | IXYS | MOSFET N-CH TO-3P | tiedustelu |
|
IXTQ26N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 26A TO-3P | tiedustelu |
|
IXTQ22N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 22A TO-3P | tiedustelu |
|
IXTQ220N075T | IXYS | MOSFET N-CH 75V 220A TO-3P | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers