Ostaa IXTT16N10D2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXTT16N10D2
- Osa numero:
- IXTT16N10D2
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 100V 16A TO-268
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 12870 Pieces
- Tietolomake:
- IXTT16N10D2.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXTT16N10D2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXTT16N10D2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | - |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-268 |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 64 mOhm @ 8A, 0V |
| Tehonkulutus (Max): | 830W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 10 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IXTT16N10D2 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 5700pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 225nC @ 5V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | Depletion Mode |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 100V 16A (Tc) 830W (Tc) Surface Mount TO-268 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 100V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 100V 16A TO-268 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 16A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXTT16N10D2
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTT140P10T | IXYS | MOSFET P-CH 100V 140A TO-268 | tiedustelu |
|
IXTT10P50 | IXYS | MOSFET P-CH 500V 10A TO-268 | tiedustelu |
|
IXTT100N25P | IXYS | MOSFET N-CH 250V 100A TO-268 | tiedustelu |
|
IXTT110N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 | tiedustelu |
|
IXTT120N15P | IXYS | MOSFET N-CH 150V 120A TO-268 | tiedustelu |
|
IXTT16N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 16A TO-268 | tiedustelu |
|
IXTT16N20D2 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 16A TO-268 | tiedustelu |
|
IXTT1N300P3HV | IXYS | 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF | tiedustelu |
|
IXTT12N150HV | IXYS | MOSFET N-CH 1.5KV 12A TO268 | tiedustelu |
|
IXTT16P20 | IXYS | MOSFET P-CH 200V 16A TO-268 | tiedustelu |
|
IXTT1N250HV | IXYS | MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-268HV | tiedustelu |
|
IXTT10N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267 | tiedustelu |
|
IXTT12N140 | IXYS | MOSFET N-CH 1400V 12A TO268 | tiedustelu |
|
IXTT1N450HV | IXYS | MOSFET N-CH 4500V 1A TO268 | tiedustelu |
|
IXTT1N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268 | tiedustelu |
 |
IXTT16P60P | IXYS | MOSFET P-CH 600V 16A TO-268 | tiedustelu |
|
IXTT170N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 170A TO-268 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers