IXTT170N10P
IXTT170N10P
Osa numero:
IXTT170N10P
Valmistaja:
IXYS Corporation
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 170A TO-268
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15035 Pieces
Tietolomake:
IXTT170N10P.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IXTT170N10P, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXTT170N10P sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IXTT170N10P BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-268
Sarja:Polar™
RDS (Max) @ Id, Vgs:9 mOhm @ 500mA, 10V
Tehonkulutus (Max):715W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:8 Weeks
Valmistajan osanumero:IXTT170N10P
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:6000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:198nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 100V 170A (Tc) 715W (Tc) Surface Mount TO-268
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET N-CH 100V 170A TO-268
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:170A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit