Ostaa IXYH30N120C3D1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXYH30N120C3D1
- Osa numero:
- IXYH30N120C3D1
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- IGBT 1200V 66A 416W TO247
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 13976 Pieces
- Tietolomake:
- IXYH30N120C3D1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXYH30N120C3D1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXYH30N120C3D1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 1200V |
|---|---|
| Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: | 3.3V @ 15V, 30A |
| Testaa kunto: | 600V, 30A, 10 Ohm, 15V |
| Td (päällä / pois) @ 25 ° C: | 19ns/130ns |
| Switching Energy: | 2.6mJ (on), 1.1mJ (off) |
| Toimittaja Device Package: | TO-247 (IXYH) |
| Sarja: | GenX3™, XPT™ |
| Käänteinen Recovery Time (TRR): | 195ns |
| Virta - Max: | 416W |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-247-3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IXYH30N120C3D1 |
| Syötetyyppi: | Standard |
| IGBT Tyyppi: | - |
| Gate Charge: | 69nC |
| Laajennettu kuvaus: | IGBT 1200V 66A 416W Through Hole TO-247 (IXYH) |
| Kuvaus: | IGBT 1200V 66A 416W TO247 |
| Nykyinen - Collector Pulssi (ICM): | 133A |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 66A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXYH30N120C3D1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IXYH30N450HV | IXYS | IGBT 4500V 30A TO-247HV | tiedustelu |
 |
IXYH30N65C3 | IXYS | IGBT 650V 60A 270W TO247AD | tiedustelu |
|
IXYH30N170C | IXYS | 1700V/108A HIGH VOLTAGE XPT IGB | tiedustelu |
 |
IXST30N60BD1 | IXYS | IGBT 600V 55A 200W TO268 | tiedustelu |
|
IXYH30N120C3 | IXYS | IGBT 1200V 75A 500W TO247 | tiedustelu |
|
IXYH30N65C3H1 | IXYS | IGBT 650V 60A 270W TO247 | tiedustelu |
 |
APT13GP120KG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 41A 250W TO220 | tiedustelu |
|
IXYH75N65C3H1 | IXYS | IGBT 650V 170A 750W TO247 | tiedustelu |
 |
IRGSL6B60KDPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 13A 90W TO262 | tiedustelu |
 |
IRG7CH46UED | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog