Ostaa IXZH10N50L2A BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXZH10N50L2A
- Osa numero:
- IXZH10N50L2A
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- RF MOSFET N-CHANNEL TO-247
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19900 Pieces
- Tietolomake:
- IXZH10N50L2A.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXZH10N50L2A, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXZH10N50L2A sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Testi: | - |
|---|---|
| Jännite - Rated: | 500V |
| transistori tyyppi: | N-Channel |
| Toimittaja Device Package: | TO-247 (IXFH) |
| Sarja: | Z-MOS™ |
| Virta - Output: | 200W |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-247-3 |
| Noise Kuva: | - |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 10 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IXZH10N50L2A |
| Saada: | - |
| Taajuus: | 2MHz ~ 110MHz |
| Laajennettu kuvaus: | RF Mosfet N-Channel 2MHz ~ 110MHz 200W TO-247 (IXFH) |
| Kuvaus: | RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 |
| Nykyinen arvostelu: | 1mA |
| Nykyinen - Testi: | - |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXZH10N50L2A
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
BLU6H0410LS-600P,1 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539B | tiedustelu |
 |
BLF6G27LS-40PGJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121E | tiedustelu |
 |
IXZR18N50 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | tiedustelu |
 |
IXZH10N50L2B | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 | tiedustelu |
 |
BLF8G10LS-160,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B | tiedustelu |
 |
BLC8G20LS-400AVZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12583 | tiedustelu |
 |
PTFA260851E V1 R250 | Infineon Technologies | FET RF 65V 2.68GHZ H-30248-2 | tiedustelu |
 |
UF2820P | M/A-Com Technology Solutions | MOSFET 20W 28V 100-500MHZ | tiedustelu |
 |
BLF645,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT540A | tiedustelu |
 |
BF 5030 E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8V 25MA SOT143 | tiedustelu |
 |
MRF6V12250HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S | tiedustelu |
 |
ON5250/A,135 | NXP USA Inc. | MOSFET RF SOT223 SC-73 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog