JAN1N5417
JAN1N5417
Osa numero:
JAN1N5417
Valmistaja:
Microsemi
Kuvaus:
DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12206 Pieces
Tietolomake:
JAN1N5417.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä JAN1N5417, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma JAN1N5417 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa JAN1N5417 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos:1.5V @ 9A
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max):200V
Nopeus:Fast Recovery = 200mA (Io)
Sarja:Military, MIL-PRF-19500/411
Käänteinen Recovery Time (TRR):150ns
Pakkaus:Bulk
Pakkaus / Case:B, Axial
Muut nimet:1086-2088
1086-2088-MIL
Käyttölämpötila - liitäntä:-65°C ~ 175°C
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:8 Weeks
Valmistajan osanumero:JAN1N5417
Laajennettu kuvaus:Diode Standard 200V 3A Through Hole
diodi Tyyppi:Standard
Kuvaus:DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL
Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr:1µA @ 200V
Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io):3A
Kapasitanssi @ Vr, F:-
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit