Ostaa JANTXV2N6766T1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
JANTXV2N6766T1
- Osa numero:
- JANTXV2N6766T1
- Valmistaja:
- Microsemi
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 15600 Pieces
- Tietolomake:
- JANTXV2N6766T1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä JANTXV2N6766T1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma JANTXV2N6766T1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-254AA |
| Sarja: | Military, MIL-PRF-19500/543 |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 90 mOhm @ 30A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 4W (Ta), 150W (Tc) |
| Pakkaus: | Bulk |
| Pakkaus / Case: | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
| Muut nimet: | JANTXV2N6766T1-MIL |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | JANTXV2N6766T1 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 115nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 200V 30A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-254AA |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 200V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 30A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat JANTXV2N6766T1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTXV2N6790U | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH | tiedustelu |
|
JANTXV2N6766 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH | tiedustelu |
|
JANTXV2N6782U | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 100V 3.5A | tiedustelu |
|
JANTXV2N6764 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 100V 38A | tiedustelu |
|
JANTXV2N6790 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH | tiedustelu |
|
JANTXV2N6768 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH | tiedustelu |
|
JANTXV2N6764T1 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 100V 38A | tiedustelu |
|
JANTXV2N6770 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH | tiedustelu |
|
JANTXV2N6762 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH | tiedustelu |
|
JANTXV2N6768T1 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH | tiedustelu |
|
JANTXV2N6782 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 100V 3.5A | tiedustelu |
|
JANTXV2N6758 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 9A | tiedustelu |
|
JANTXV2N6788 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 100V 6A | tiedustelu |
|
JANTXV2N6760 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog