Ostaa MGSF1N03LT1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
MGSF1N03LT1
- Osa numero:
- MGSF1N03LT1
- Valmistaja:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19588 Pieces
- Tietolomake:
- MGSF1N03LT1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä MGSF1N03LT1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma MGSF1N03LT1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.4V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | SOT-23-3 (TO-236) |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 100 mOhm @ 1.2A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 420mW (Ta) |
| Pakkaus: | Cut Tape (CT) |
| Pakkaus / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Muut nimet: | MGSF1N03LT1OSCT |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | MGSF1N03LT1 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 140pF @ 5V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 30V 1.6A (Ta) 420mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 1.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat MGSF1N03LT1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
MGSF1N03LT3 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23 | tiedustelu |
|
MGSF1N03LT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23 | tiedustelu |
 |
NP80N055NDG-S18-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 55V 80A TO-262 | tiedustelu |
 |
IPP45P03P4L11AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 45A TO220-3 | tiedustelu |
|
MGSF1N02LT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23 | tiedustelu |
 |
IRFR5410TR | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 13A DPAK | tiedustelu |
|
MGSF1N03LT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23 | tiedustelu |
|
MGSF1N02LT1 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 750MA SOT-23 | tiedustelu |
 |
NTD5406NG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 70A DPAK | tiedustelu |
 |
IRFSL41N15D | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 41A TO-262 | tiedustelu |
|
MGSF1P02LT1 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 750MA SOT-23 | tiedustelu |
 |
BSL207SP | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 6A 6-TSOP | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog