Ostaa NP80N055NDG-S18-AY BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
NP80N055NDG-S18-AY
- Osa numero:
- NP80N055NDG-S18-AY
- Valmistaja:
- Renesas Electronics America
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 17744 Pieces
- Tietolomake:
- NP80N055NDG-S18-AY.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä NP80N055NDG-S18-AY, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NP80N055NDG-S18-AY sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-262 |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 6.9 mOhm @ 40A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 1.8W (Ta), 115W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Käyttölämpötila: | 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 16 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | NP80N055NDG-S18-AY |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 6900pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 135nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 55V 80A (Tc) 1.8W (Ta), 115W (Tc) Through Hole TO-262 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 55V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 55V 80A TO-262 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat NP80N055NDG-S18-AY
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
NP80N04PLG-E1B-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 40V 80A TO-263 | tiedustelu |
 |
NP80N055MHE-S18-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 | tiedustelu |
|
NP80N06PLG-E1B-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 80A TO-263 | tiedustelu |
|
NP80N04PUG-E1B-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 40V 80A TO-263 | tiedustelu |
 |
IRFR3708TR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 61A DPAK | tiedustelu |
|
NP80N04KHE-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 40V 80A TO-263 | tiedustelu |
|
NP80N06MLG-S18-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 80A TO-220 | tiedustelu |
|
NP80N055KLE-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 55V 80A TO-263 | tiedustelu |
 |
IRL3715L | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 54A TO-262 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog