Ostaa NP80N04PLG-E1B-AY BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | TO-263 |
Sarja: | - |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 4.5 mOhm @ 40A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 1.8W (Ta), 115W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Muut nimet: | NP80N04PLG-E1B-AY-ND NP80N04PLG-E1B-AYTR |
Käyttölämpötila: | 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | NP80N04PLG-E1B-AY |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 6900pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 135nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 40V 80A (Tc) 1.8W (Ta), 115W (Tc) Surface Mount TO-263 |
Valua lähde jännite (Vdss): | 40V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 40V 80A TO-263 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
Email: | [email protected] |