Ostaa MURT10005R BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
MURT10005R
- Osa numero:
- MURT10005R
- Valmistaja:
- GeneSiC Semiconductor
- Kuvaus:
- DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 15141 Pieces
- Tietolomake:
- 1.MURT10005R.pdf2.MURT10005R.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä MURT10005R, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma MURT10005R sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos: | 1.3V @ 50A |
|---|---|
| Jännite - DC Reverse (Vr) (Max): | 50V |
| Toimittaja Device Package: | Three Tower |
| Nopeus: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Sarja: | - |
| Käänteinen Recovery Time (TRR): | 75ns |
| Pakkaus: | Bulk |
| Pakkaus / Case: | Three Tower |
| Muut nimet: | MURT10005RGN |
| Käyttölämpötila - liitäntä: | -55°C ~ 150°C |
| Asennustyyppi: | Chassis Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 4 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | MURT10005R |
| Laajennettu kuvaus: | Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 50V 100A (DC) Chassis Mount Three Tower |
| diodi Tyyppi: | Standard |
| diodikonfiguraatiolla: | 1 Pair Common Anode |
| Kuvaus: | DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr: | 25µA @ 50V |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io) (per Diode): | 100A (DC) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat MURT10005R
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
MURT10005 | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER | tiedustelu |
|
MURT10040R | GeneSiC Semiconductor | DIODE ARRAY GP REV POLAR3TOWER | tiedustelu |
|
MURT10040 | GeneSiC Semiconductor | DIODE ARRAY GP 400V 100A 3TOWER | tiedustelu |
|
MURT10020 | GeneSiC Semiconductor | DIODE ARRAY GP 200V 100A 3TOWER | tiedustelu |
|
MURT10010R | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER | tiedustelu |
|
MURT10060 | GeneSiC Semiconductor | DIODE ARRAY GP 600V 100A 3TOWER | tiedustelu |
|
MURT10060R | GeneSiC Semiconductor | DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER | tiedustelu |
|
MURT10020R | GeneSiC Semiconductor | DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER | tiedustelu |
|
MURT10010 | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog