MURT10040R
MURT10040R
Osa numero:
MURT10040R
Valmistaja:
GeneSiC Semiconductor
Kuvaus:
DIODE ARRAY GP REV POLAR3TOWER
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15186 Pieces
Tietolomake:
1.MURT10040R.pdf2.MURT10040R.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä MURT10040R, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma MURT10040R sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa MURT10040R BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos:1.35V @ 50A
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max):400V
Toimittaja Device Package:Three Tower
Nopeus:Fast Recovery = 200mA (Io)
Sarja:-
Käänteinen Recovery Time (TRR):90ns
Pakkaus:Bulk
Pakkaus / Case:Three Tower
Muut nimet:MURT10040RGN
Käyttölämpötila - liitäntä:-40°C ~ 175°C
Asennustyyppi:Chassis Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:4 Weeks
Valmistajan osanumero:MURT10040R
Laajennettu kuvaus:Diode Array Standard, Reverse Polarity 400V 100A (DC) Chassis Mount Three Tower
diodi Tyyppi:Standard, Reverse Polarity
diodikonfiguraatiolla:-
Kuvaus:DIODE ARRAY GP REV POLAR3TOWER
Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr:25µA @ 50V
Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io) (per Diode):100A (DC)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit