NDD60N745U1-1G
NDD60N745U1-1G
Osa numero:
NDD60N745U1-1G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 6.8A IPAK-4
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14577 Pieces
Tietolomake:
NDD60N745U1-1G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NDD60N745U1-1G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NDD60N745U1-1G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NDD60N745U1-1G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:I-Pak
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:745 mOhm @ 3.25A, 10V
Tehonkulutus (Max):84W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):3 (168 Hours)
Valmistajan toimitusaika:4 Weeks
Valmistajan osanumero:NDD60N745U1-1G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:440pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 600V 6.6A (Tc) 84W (Tc) Through Hole I-Pak
Valua lähde jännite (Vdss):600V
Kuvaus:MOSFET N-CH 600V 6.8A IPAK-4
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:6.6A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit