Ostaa NDD60N745U1T4G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | DPAK |
Sarja: | - |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 745 mOhm @ 3.25A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 84W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 3 (168 Hours) |
Valmistajan toimitusaika: | 4 Weeks |
Valmistajan osanumero: | NDD60N745U1T4G |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 440pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 15nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 600V 6.6A (Tc) 84W (Tc) Surface Mount DPAK |
Valua lähde jännite (Vdss): | 600V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 600V 6.8A DPAK-3 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 6.6A (Tc) |
Email: | [email protected] |