Ostaa NE3503M04-A BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
NE3503M04-A
- Osa numero:
- NE3503M04-A
- Valmistaja:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- Kuvaus:
- FET RF 4V 12GHZ M04
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 14140 Pieces
- Tietolomake:
- 1.NE3503M04-A.pdf2.NE3503M04-A.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä NE3503M04-A, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NE3503M04-A sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Testi: | 2V |
|---|---|
| Jännite - Rated: | 4V |
| transistori tyyppi: | HFET |
| Toimittaja Device Package: | M04 |
| Sarja: | - |
| Virta - Output: | - |
| Pakkaus: | Bulk |
| Pakkaus / Case: | SOT-343F |
| Muut nimet: | NE3503M04A |
| Noise Kuva: | 0.45dB |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | NE3503M04-A |
| Saada: | 12dB |
| Taajuus: | 12GHz |
| Laajennettu kuvaus: | RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 12dB M04 |
| Kuvaus: | FET RF 4V 12GHZ M04 |
| Nykyinen arvostelu: | 70mA |
| Nykyinen - Testi: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat NE3503M04-A
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
NE3509M04-T2-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ SOT-343 | tiedustelu |
 |
NE3503M04-T2B-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 | tiedustelu |
 |
BF1211R,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143R | tiedustelu |
|
NE3503M04-T2-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 | tiedustelu |
 |
BLF8G22LS-270GVJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17.3DB SOT1244C | tiedustelu |
 |
ATF-33143-TR1G | Broadcom Limited | FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343 | tiedustelu |
|
NE350184C | CEL | FET RF 4V 20GHZ MICRO-X | tiedustelu |
|
NE3508M04-T2-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM | tiedustelu |
|
NE3509M04-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ 4-SMINI | tiedustelu |
|
BF2030WE6814BTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-343 | tiedustelu |
 |
MRF7S19080HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S | tiedustelu |
 |
MMRF1312GSR5 | NXP USA Inc. | TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V | tiedustelu |
|
NE3508M04-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM | tiedustelu |
|
BLF8G27LS-150GVQ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog