Ostaa NE3503M04-T2B-A BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
NE3503M04-T2B-A
- Osa numero:
- NE3503M04-T2B-A
- Valmistaja:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- Kuvaus:
- FET RF 4V 12GHZ M04
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 17951 Pieces
- Tietolomake:
- NE3503M04-T2B-A.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä NE3503M04-T2B-A, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NE3503M04-T2B-A sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Testi: | 2V |
|---|---|
| Jännite - Rated: | 4V |
| transistori tyyppi: | HFET |
| Toimittaja Device Package: | M04 |
| Sarja: | - |
| Virta - Output: | - |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 4-SMD, Flat Leads |
| Noise Kuva: | 0.45dB |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | NE3503M04-T2B-A |
| Saada: | 12dB |
| Taajuus: | 12GHz |
| Laajennettu kuvaus: | RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 12dB M04 |
| Kuvaus: | FET RF 4V 12GHZ M04 |
| Nykyinen arvostelu: | 70mA |
| Nykyinen - Testi: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat NE3503M04-T2B-A
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF6G38-10,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT975B | tiedustelu |
 |
PTFA212401E V4 R250 | Infineon Technologies | FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2 | tiedustelu |
 |
NE3503M04-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 | tiedustelu |
 |
ATF-52189-TR2 | Broadcom Limited | FET RF 7V 2GHZ SOT-89 | tiedustelu |
|
NE3503M04-T2-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 | tiedustelu |
 |
PD85035S-E | STMicroelectronics | FET RF 40V 870MHZ | tiedustelu |
|
NE3509M04-T2-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ SOT-343 | tiedustelu |
 |
NE350184C | CEL | FET RF 4V 20GHZ MICRO-X | tiedustelu |
|
NE3508M04-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM | tiedustelu |
|
NE3509M04-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ 4-SMINI | tiedustelu |
 |
BLC8G27LS-210PVY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12513 | tiedustelu |
 |
BF1208D,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH DUAL GATE SOD666 | tiedustelu |
|
NE3508M04-T2-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM | tiedustelu |
 |
BLC8G27LS-160AVJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 14.3DB SOT12751 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog