Ostaa NGTB30N60FLWG BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
NGTB30N60FLWG
- Osa numero:
- NGTB30N60FLWG
- Valmistaja:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Kuvaus:
- IGBT 600V 60A 250W TO247
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 13322 Pieces
- Tietolomake:
- NGTB30N60FLWG.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä NGTB30N60FLWG, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NGTB30N60FLWG sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 600V |
|---|---|
| Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: | 1.9V @ 15V, 30A |
| Testaa kunto: | 400V, 30A, 10 Ohm, 15V |
| Td (päällä / pois) @ 25 ° C: | 83ns/170ns |
| Switching Energy: | 700µJ (on), 280µJ (off) |
| Toimittaja Device Package: | TO-247 |
| Sarja: | - |
| Käänteinen Recovery Time (TRR): | 72ns |
| Virta - Max: | 250W |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-247-3 |
| Muut nimet: | NGTB30N60FLWGOS |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | NGTB30N60FLWG |
| Syötetyyppi: | Standard |
| IGBT Tyyppi: | Trench Field Stop |
| Gate Charge: | 170nC |
| Laajennettu kuvaus: | IGBT Trench Field Stop 600V 60A 250W Through Hole TO-247 |
| Kuvaus: | IGBT 600V 60A 250W TO247 |
| Nykyinen - Collector Pulssi (ICM): | 120A |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 60A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat NGTB30N60FLWG
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
NGTB30N135IHRWG | ON Semiconductor | IGBT 1350V 60A 394W TO247 | tiedustelu |
|
NGTB30N120IHSWG | ON Semiconductor | IGBT 1200V 30A TO247 | tiedustelu |
|
NGTB30N120FL2WG | ON Semiconductor | IGBT 1200V 60A 452W TO247 | tiedustelu |
|
NGTB30N60IHLWG | ON Semiconductor | IGBT 600V 30A TO247 | tiedustelu |
|
NGTB30N60L2WG | ON Semiconductor | IGBT 600V 30A TO247 | tiedustelu |
|
NGTB30N60SWG | ON Semiconductor | IGBT 600V 60A 189W TO247 | tiedustelu |
|
NGTB30N60FWG | ON Semiconductor | IGBT 600V 60A 167W TO247 | tiedustelu |
|
NGTB30N65IHL2WG | ON Semiconductor | IGBT 600V 70A 300W TO247 | tiedustelu |
|
NGTB30N120IHRWG | ON Semiconductor | IGBT 1200V 60A 384W TO247 | tiedustelu |
|
NGTB30N120L2WG | ON Semiconductor | IGBT 1200V 60A 534W TO247 | tiedustelu |
|
NGTB30N135IHR1WG | ON Semiconductor | IGBT 1350V 30A TO247 | tiedustelu |
|
NGTB30N120LWG | ON Semiconductor | IGBT 1200V 30A TO247 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog