Ostaa NIF9N05CLT3G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
NIF9N05CLT3G
- Osa numero:
- NIF9N05CLT3G
- Valmistaja:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 17852 Pieces
- Tietolomake:
- NIF9N05CLT3G.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä NIF9N05CLT3G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NIF9N05CLT3G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 100µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | SOT-223 |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 125 mOhm @ 2.6A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 1.69W (Ta) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-261-4, TO-261AA |
| Muut nimet: | NIF9N05CLT3GOS |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Valmistajan osanumero: | NIF9N05CLT3G |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 250pF @ 35V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 7nC @ 4.5V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 59V 2.6A (Ta) 1.69W (Ta) Surface Mount SOT-223 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 59V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 2.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat NIF9N05CLT3G
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
SQM40N15-38_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 40A TO263 | tiedustelu |
 |
RRL025P03TR | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6 | tiedustelu |
 |
NIF9N05CLT3 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223 | tiedustelu |
 |
NTD4913N-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 32A IPAK | tiedustelu |
|
NIF9N05CLT1 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223 | tiedustelu |
 |
FQD4N20LTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK | tiedustelu |
 |
BUK9Y22-30B,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 37.7A LFPAK | tiedustelu |
|
NIF9N05CLT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223 | tiedustelu |
 |
SIR626DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 100A SO8 | tiedustelu |
 |
FDPF12N50NZT | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220F | tiedustelu |
|
IPB80P03P4L04ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3 | tiedustelu |
 |
IXFP5N50PM | IXYS | MOSFET N-CH 500V 3.2A TO-220 | tiedustelu |
 |
SIA443DJ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog