NJVMJD50T4G
NJVMJD50T4G
Osa numero:
NJVMJD50T4G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS NPN 400V 1A DPAK-4
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16690 Pieces
Tietolomake:
NJVMJD50T4G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NJVMJD50T4G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NJVMJD50T4G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NJVMJD50T4G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):400V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:1V @ 200mA, 1A
transistori tyyppi:NPN
Toimittaja Device Package:DPAK-3
Sarja:-
Virta - Max:1.56W
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Käyttölämpötila:-65°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:18 Weeks
Valmistajan osanumero:NJVMJD50T4G
Taajuus - Siirtyminen:10MHz
Laajennettu kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 1A 10MHz 1.56W Surface Mount DPAK-3
Kuvaus:TRANS NPN 400V 1A DPAK-4
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:30 @ 300mA, 10V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):200µA
Nykyinen - Collector (le) (Max):1A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit