NSBC124EDP6T5G
NSBC124EDP6T5G
Osa numero:
NSBC124EDP6T5G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13054 Pieces
Tietolomake:
NSBC124EDP6T5G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NSBC124EDP6T5G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NSBC124EDP6T5G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NSBC124EDP6T5G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
transistori tyyppi:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Toimittaja Device Package:SOT-963
Sarja:-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):22k
Vastus - Base (R1) (ohmia):22k
Virta - Max:339mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:SOT-963
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:13 Weeks
Valmistajan osanumero:NSBC124EDP6T5G
Taajuus - Siirtyminen:-
Laajennettu kuvaus:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 339mW Surface Mount SOT-963
Kuvaus:TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:60 @ 5mA, 10V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):500nA
Nykyinen - Collector (le) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit