Ostaa NTD18N06-1G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | I-Pak |
Sarja: | - |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 60 mOhm @ 9A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 2.1W (Ta), 55W (Tj) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | NTD18N06-1G |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 710pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 30nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 60V 18A (Ta) 2.1W (Ta), 55W (Tj) Through Hole I-Pak |
Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 60V 18A IPAK |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 18A (Ta) |
Email: | sales@bychips.com |