NTD18N06L-001
NTD18N06L-001
Osa numero:
NTD18N06L-001
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12309 Pieces
Tietolomake:
NTD18N06L-001.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NTD18N06L-001, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NTD18N06L-001 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NTD18N06L-001 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:I-Pak
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:65 mOhm @ 9A, 5V
Tehonkulutus (Max):2.1W (Ta), 55W (Tj)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Muut nimet:NTD18N06L-001OS
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:NTD18N06L-001
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:675pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 60V 18A (Ta) 2.1W (Ta), 55W (Tj) Through Hole I-Pak
Valua lähde jännite (Vdss):60V
Kuvaus:MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:18A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit