Ostaa NTD3808N-35G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | I-Pak |
Sarja: | - |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 5.8 mOhm @ 15A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 1.3W (Ta), 52W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | NTD3808N-35G |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1660pF @ 12V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 21nC @ 4.5V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 16V 12A (Ta), 76A (Tc) 1.3W (Ta), 52W (Tc) Through Hole I-Pak |
Valua lähde jännite (Vdss): | 16V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 16V 12A IPAK |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 12A (Ta), 76A (Tc) |
Email: | [email protected] |