Ostaa NTD3813N-35G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
NTD3813N-35G
- Osa numero:
- NTD3813N-35G
- Valmistaja:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 16597 Pieces
- Tietolomake:
- NTD3813N-35G.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä NTD3813N-35G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NTD3813N-35G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | I-Pak |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 8.75 mOhm @ 15A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 1.2W (Ta), 34.9W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | NTD3813N-35G |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 963pF @ 12V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 12.8nC @ 4.5V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 16V 9.6A (Ta), 51A (Tc) 1.2W (Ta), 34.9W (Tc) Through Hole I-Pak |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 16V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 9.6A (Ta), 51A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat NTD3813N-35G
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
NTD3813NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 16V 9.6A DPAK | tiedustelu |
 |
NTD3813N-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK | tiedustelu |
 |
AON6504_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 8DFN | tiedustelu |
 |
NTD3808N-35G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 16V 12A IPAK | tiedustelu |
|
NTD3817N-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK | tiedustelu |
|
NTD3817N-35G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK | tiedustelu |
 |
C3M0120090J | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH 900V 22A | tiedustelu |
 |
IRLR8103VPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 91A DPAK | tiedustelu |
|
NTD3808NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 16V 12A DPAK | tiedustelu |
|
NTD3808N-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 16V 12A IPAK | tiedustelu |
|
NTD3817NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 16V 7.6A DPAK | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog