Ostaa NTD4302G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
NTD4302G
- Osa numero:
- NTD4302G
- Valmistaja:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 13805 Pieces
- Tietolomake:
- NTD4302G.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä NTD4302G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NTD4302G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | DPAK |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 10 mOhm @ 20A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 1.04W (Ta), 75W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Muut nimet: | NTD4302G-ND NTD4302GOS |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | NTD4302G |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2400pF @ 24V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 80nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 30V 8.4A (Ta), 68A (Tc) 1.04W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount DPAK |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 8.4A (Ta), 68A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat NTD4302G
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
NTD4302T4 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK | tiedustelu |
 |
FQU4N50TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK | tiedustelu |
 |
NTD4302-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8.4A IPAK | tiedustelu |
|
NTD4302 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK | tiedustelu |
 |
STP2NK60Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 1.4A TO-220 | tiedustelu |
|
STP6NK90Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-220 | tiedustelu |
 |
TK12Q60W,S1VQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK | tiedustelu |
 |
FQA46N15_F109 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 50A TO-3P | tiedustelu |
|
NTD4302T4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK | tiedustelu |
 |
CSD19506KTTT | Texas Instruments | IC MOSFET N-CH 80V TO-220 | tiedustelu |
 |
APT31N60BCSG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 31A TO-247 | tiedustelu |
|
CSD18537NQ5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 50A 8SON | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog