Ostaa NTD4302T4 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
NTD4302T4
- Osa numero:
- NTD4302T4
- Valmistaja:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 13222 Pieces
- Tietolomake:
- NTD4302T4.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä NTD4302T4, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NTD4302T4 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | DPAK |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 10 mOhm @ 20A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 1.04W (Ta), 75W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Muut nimet: | NTD4302T4OS |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | NTD4302T4 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2400pF @ 24V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 80nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 30V 8.4A (Ta), 68A (Tc) 1.04W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount DPAK |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 8.4A (Ta), 68A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat NTD4302T4
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
STD3NK80Z-1 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK | tiedustelu |
 |
IRLZ24NLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 18A TO-262 | tiedustelu |
 |
RSS065N03FU6TB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC | tiedustelu |
 |
NTD4302-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8.4A IPAK | tiedustelu |
 |
NTD4302G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK | tiedustelu |
|
NTD4302 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK | tiedustelu |
 |
FDP3652 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 61A TO-220AB | tiedustelu |
 |
IPB35N10S3L26ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | tiedustelu |
 |
FDS8812NZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC | tiedustelu |
|
NTD4302T4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK | tiedustelu |
 |
IRFL9110PBF | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223 | tiedustelu |
 |
IRFU310 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 1.7A I-PAK | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog