Ostaa NTD6414AN-1G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
NTD6414AN-1G
- Osa numero:
- NTD6414AN-1G
- Valmistaja:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 100V 32A IPAK
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 12532 Pieces
- Tietolomake:
- NTD6414AN-1G.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä NTD6414AN-1G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NTD6414AN-1G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | I-Pak |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 37 mOhm @ 32A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 100W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Muut nimet: | NTD6414AN-1G-ND NTD6414AN-1GOS |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | NTD6414AN-1G |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1450pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 40nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 100V 32A (Tc) 100W (Tc) Through Hole I-Pak |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 100V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 100V 32A IPAK |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 32A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat NTD6414AN-1G
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
NTD6415AN-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 23A IPAK | tiedustelu |
|
NTD6416AN-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 17A IPAK | tiedustelu |
 |
NTD6416ANLT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 19A DPAK | tiedustelu |
|
NTD6416ANT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 17A DPAK | tiedustelu |
|
NTD6414ANT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 32A DPAK | tiedustelu |
|
NTD6416ANL-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 19A IPAK | tiedustelu |
 |
IRLI620G | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP | tiedustelu |
|
NTD6415ANT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 23A DPAK | tiedustelu |
|
NTD6415ANLT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 23A DPAK | tiedustelu |
 |
PSMN050-80PS,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 22A TO220AB | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog