Ostaa NTDV20N06LT4G-VF01 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | DPAK-3 |
Sarja: | - |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 48 mOhm @ 10A, 5V |
Tehonkulutus (Max): | 1.36W (Ta), 60W (Tj) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Muut nimet: | NTDV20N06LT4G NTDV20N06LT4G-ND |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 22 Weeks |
Valmistajan osanumero: | NTDV20N06LT4G-VF01 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 990pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 32nC @ 5V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 60V 20A (Ta) 1.36W (Ta), 60W (Tj) Surface Mount DPAK-3 |
Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 60V 20A DPAK |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 20A (Ta) |
Email: | [email protected] |