NTDV20N06T4G-VF01
NTDV20N06T4G-VF01
Osa numero:
NTDV20N06T4G-VF01
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19629 Pieces
Tietolomake:
NTDV20N06T4G-VF01.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NTDV20N06T4G-VF01, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NTDV20N06T4G-VF01 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NTDV20N06T4G-VF01 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:DPAK-3
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:46 mOhm @ 10A, 10V
Tehonkulutus (Max):1.88W (Ta), 60W (Tj)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:NTDV20N06T4G
NTDV20N06T4G-ND
NVD5484NLT4G-VF01
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:15 Weeks
Valmistajan osanumero:NTDV20N06T4G-VF01
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1015pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:30nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 60V 20A (Ta) 1.88W (Ta), 60W (Tj) Surface Mount DPAK-3
Valua lähde jännite (Vdss):60V
Kuvaus:MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:20A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit