NTE4153NT1G
NTE4153NT1G
Osa numero:
NTE4153NT1G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 20V 915MA SC-89
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13498 Pieces
Tietolomake:
NTE4153NT1G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NTE4153NT1G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NTE4153NT1G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NTE4153NT1G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:1.1V @ 250µA
Vgs (Max):±6V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:SC-89-3
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:230 mOhm @ 600mA, 4.5V
Tehonkulutus (Max):300mW (Tj)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:SC-89, SOT-490
Muut nimet:NTE4153NT1GOSTR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:27 Weeks
Valmistajan osanumero:NTE4153NT1G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:110pF @ 16V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:1.82nC @ 4.5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 20V 915mA (Ta) 300mW (Tj) Surface Mount SC-89-3
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 4.5V
Valua lähde jännite (Vdss):20V
Kuvaus:MOSFET N-CH 20V 915MA SC-89
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:915mA (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit