Ostaa NTJD1155LT1G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
NTJD1155LT1G
- Osa numero:
- NTJD1155LT1G
- Valmistaja:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Kuvaus:
- MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 17473 Pieces
- Tietolomake:
- NTJD1155LT1G.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä NTJD1155LT1G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NTJD1155LT1G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 175 mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Virta - Max: | 400mW |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Muut nimet: | NTJD1155LT1GOSTR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 39 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | NTJD1155LT1G |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| FET tyyppi: | N and P-Channel |
| FET Ominaisuus: | Standard |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array N and P-Channel 8V 1.3A 400mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 8V |
| Kuvaus: | MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 1.3A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat NTJD1155LT1G
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF7105PBF | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC | tiedustelu |
 |
AO4611 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC | tiedustelu |
 |
NTJD1155LT1 | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363 | tiedustelu |
 |
SSM6N7002BFU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6 | tiedustelu |
 |
DMN62D0UDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363 | tiedustelu |
 |
FDMS3664S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A 8-PQFN | tiedustelu |
 |
APTC60AM35SCTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 72A SP4 | tiedustelu |
 |
SI9926BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
2N7002BKV,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666 | tiedustelu |
 |
STS4DPF20L | STMicroelectronics | MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC | tiedustelu |
 |
BSD223PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 | tiedustelu |
 |
SH8J66TB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 9A SOP8 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog