SI9926BDY-T1-E3
Osa numero:
SI9926BDY-T1-E3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19641 Pieces
Tietolomake:
SI9926BDY-T1-E3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SI9926BDY-T1-E3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI9926BDY-T1-E3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SI9926BDY-T1-E3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Toimittaja Device Package:8-SO
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:20 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Virta - Max:1.14W
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Muut nimet:SI9926BDY-T1-E3TR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:SI9926BDY-T1-E3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 4.5V
FET tyyppi:2 N-Channel (Dual)
FET Ominaisuus:Logic Level Gate
Laajennettu kuvaus:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6.2A 1.14W Surface Mount 8-SO
Valua lähde jännite (Vdss):20V
Kuvaus:MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:6.2A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit