NTMS4939NR2G
Osa numero:
NTMS4939NR2G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 8A 8SOIC
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16667 Pieces
Tietolomake:
NTMS4939NR2G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NTMS4939NR2G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NTMS4939NR2G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NTMS4939NR2G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:8-SOIC
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:8.4 mOhm @ 7.5A, 10V
Tehonkulutus (Max):800mW (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:2 Weeks
Valmistajan osanumero:NTMS4939NR2G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 8A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V 8A 8SOIC
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:8A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit