Ostaa NTMSD2P102LR2G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | 8-SOIC |
Sarja: | FETKY™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 90 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
Tehonkulutus (Max): | 710mW (Ta) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Muut nimet: | NTMSD2P102LR2GOS |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 3 (168 Hours) |
Valmistajan osanumero: | NTMSD2P102LR2G |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 750pF @ 16V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 18nC @ 4.5V |
FET tyyppi: | P-Channel |
FET Ominaisuus: | Schottky Diode (Isolated) |
Laajennettu kuvaus: | P-Channel 20V 2.3A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC |
Valua lähde jännite (Vdss): | 20V |
Kuvaus: | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 2.3A (Ta) |
Email: | [email protected] |