NTMSD3P102R2
Osa numero:
NTMSD3P102R2
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19230 Pieces
Tietolomake:
NTMSD3P102R2.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NTMSD3P102R2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NTMSD3P102R2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NTMSD3P102R2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:8-SOIC
Sarja:FETKY™
RDS (Max) @ Id, Vgs:85 mOhm @ 3.05A, 10V
Tehonkulutus (Max):730mW (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Muut nimet:NTMSD3P102R2OS
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:NTMSD3P102R2
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:750pF @ 16V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
FET tyyppi:P-Channel
FET Ominaisuus:Schottky Diode (Isolated)
Laajennettu kuvaus:P-Channel 20V 2.34A (Ta) 730mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Valua lähde jännite (Vdss):20V
Kuvaus:MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:2.34A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit