Ostaa NTMSD3P102R2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
NTMSD3P102R2
- Osa numero:
- NTMSD3P102R2
- Valmistaja:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Kuvaus:
- MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19230 Pieces
- Tietolomake:
- NTMSD3P102R2.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä NTMSD3P102R2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NTMSD3P102R2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | 8-SOIC |
| Sarja: | FETKY™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 85 mOhm @ 3.05A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 730mW (Ta) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Muut nimet: | NTMSD3P102R2OS |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | NTMSD3P102R2 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 750pF @ 16V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
| FET tyyppi: | P-Channel |
| FET Ominaisuus: | Schottky Diode (Isolated) |
| Laajennettu kuvaus: | P-Channel 20V 2.34A (Ta) 730mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 20V |
| Kuvaus: | MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 2.34A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat NTMSD3P102R2
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
NTMSD3P102R2SG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC | tiedustelu |
|
NTMSD3P102R2G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC | tiedustelu |
|
NTMSD2P102LR2 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | tiedustelu |
|
NTMSD2P102R2SG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
BUK956R1-100E,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB | tiedustelu |
|
NTMSD6N303R2SG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC | tiedustelu |
|
NTMSD6N303R2 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC | tiedustelu |
|
NTMSD3P303R2G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC | tiedustelu |
|
NTMSD2P102LR2G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | tiedustelu |
|
NTMSD2P102R2 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | tiedustelu |
|
NTMSD6N303R2G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog