Ostaa NTR1P02T1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
NTR1P02T1
- Osa numero:
- NTR1P02T1
- Valmistaja:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Kuvaus:
- MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 14593 Pieces
- Tietolomake:
- NTR1P02T1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä NTR1P02T1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NTR1P02T1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.3V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | SOT-23-3 (TO-236) |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 180 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 400mW (Ta) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Muut nimet: | NTR1P02T1OS |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | NTR1P02T1 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 165pF @ 5V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.5nC @ 5V |
| FET tyyppi: | P-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | P-Channel 20V 1A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 20V |
| Kuvaus: | MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 1A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat NTR1P02T1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
NTR1P02T3 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23 | tiedustelu |
|
NTR1P02T3G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23 | tiedustelu |
 |
STP11N60DM2 | STMicroelectronics | N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP., | tiedustelu |
|
NTR1P02T1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23 | tiedustelu |
|
NTR1P02LT3G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3 | tiedustelu |
 |
FDB10AN06A0 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 75A TO-263AB | tiedustelu |
 |
STH270N4F3-6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6 | tiedustelu |
|
NTR1P02LT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23 | tiedustelu |
 |
SCT2H12NYTB | Rohm Semiconductor | 1700V 1.2 OHM 4A SIC FET | tiedustelu |
 |
NTP6448ANG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 80A TO-220 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog