NTR4101PT1H
NTR4101PT1H
Osa numero:
NTR4101PT1H
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19051 Pieces
Tietolomake:
NTR4101PT1H.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NTR4101PT1H, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NTR4101PT1H sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NTR4101PT1H BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:1.2V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:SOT-23-3
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:85 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Tehonkulutus (Max):420mW (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Muut nimet:NTR4101PT1H-ND
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:20 Weeks
Valmistajan osanumero:NTR4101PT1H
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:675pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:8.5nC @ 4.5V
FET tyyppi:P-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:P-Channel 20V 1.8A (Ta) 420mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Valua lähde jännite (Vdss):20V
Kuvaus:MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:1.8A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit