NTR4171PT3G
NTR4171PT3G
Osa numero:
NTR4171PT3G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15180 Pieces
Tietolomake:
NTR4171PT3G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NTR4171PT3G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NTR4171PT3G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NTR4171PT3G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:1.4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:SOT-23-3 (TO-236)
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:75 mOhm @ 2.2A, 10V
Tehonkulutus (Max):480mW (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:NTR4171PT3G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:720pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:15.6nC @ 10V
FET tyyppi:P-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:P-Channel 30V 2.2A (Ta) 480mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:2.2A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit