Ostaa PDTD113ES,126 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 50V |
---|---|
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
transistori tyyppi: | NPN - Pre-Biased |
Toimittaja Device Package: | TO-92-3 |
Sarja: | - |
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia): | 1k |
Vastus - Base (R1) (ohmia): | 1k |
Virta - Max: | 500mW |
Pakkaus: | Tape & Box (TB) |
Pakkaus / Case: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Muut nimet: | 934059141126 PDTD113ES AMO PDTD113ES AMO-ND |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | PDTD113ES,126 |
Taajuus - Siirtyminen: | - |
Laajennettu kuvaus: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3 |
Kuvaus: | TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 |
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 33 @ 50mA, 5V |
Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
Nykyinen - Collector (le) (Max): | 500mA |
Email: | [email protected] |