PDTD123TK,115
Osa numero:
PDTD123TK,115
Valmistaja:
NXP Semiconductors / Freescale
Kuvaus:
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12118 Pieces
Tietolomake:
PDTD123TK,115.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä PDTD123TK,115, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma PDTD123TK,115 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa PDTD123TK,115 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
transistori tyyppi:NPN - Pre-Biased
Toimittaja Device Package:SMT3; MPAK
Sarja:-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):-
Vastus - Base (R1) (ohmia):2.2k
Virta - Max:250mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Muut nimet:934059204115
PDTD123TK T/R
PDTD123TK T/R-ND
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:PDTD123TK,115
Taajuus - Siirtyminen:-
Laajennettu kuvaus:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
Kuvaus:TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 50mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):500nA
Nykyinen - Collector (le) (Max):500mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit