Ostaa PH3855L,115 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 1mA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | LFPAK56, Power-SO8 |
Sarja: | TrenchMOS™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 36 mOhm @ 15A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 50W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | SC-100, SOT-669 |
Muut nimet: | 934058855115 PH3855L T/R PH3855L T/R-ND |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | PH3855L,115 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 765pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 11.7nC @ 5V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 55V 24A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 |
Valua lähde jännite (Vdss): | 55V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 55V 24A LFPAK |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 24A (Tc) |
Email: | [email protected] |