PHB66NQ03LT,118
PHB66NQ03LT,118
Osa numero:
PHB66NQ03LT,118
Valmistaja:
Nexperia
Kuvaus:
MOSFET N-CH 25V 66A D2PAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16538 Pieces
Tietolomake:
PHB66NQ03LT,118.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä PHB66NQ03LT,118, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma PHB66NQ03LT,118 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa PHB66NQ03LT,118 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:D2PAK
Sarja:TrenchMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:10.5 mOhm @ 25A, 10V
Tehonkulutus (Max):93W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Muut nimet:1727-4768-2
568-5945-2
568-5945-2-ND
934056840118
PHB66NQ03LT /T3
PHB66NQ03LT /T3-ND
PHB66NQ03LT,118-ND
PHB66NQ03LT118
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:20 Weeks
Valmistajan osanumero:PHB66NQ03LT,118
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:860pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 25V 66A (Tc) 93W (Tc) Surface Mount D2PAK
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):25V
Kuvaus:MOSFET N-CH 25V 66A D2PAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:66A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit