PHD63NQ03LT,118
PHD63NQ03LT,118
Osa numero:
PHD63NQ03LT,118
Valmistaja:
NXP Semiconductors / Freescale
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 68.9A DPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12032 Pieces
Tietolomake:
PHD63NQ03LT,118.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä PHD63NQ03LT,118, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma PHD63NQ03LT,118 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa PHD63NQ03LT,118 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:DPAK
Sarja:TrenchMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:13 mOhm @ 25A, 10V
Tehonkulutus (Max):111W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:934057020118
PHD63NQ03LT/T3
PHD63NQ03LT/T3-ND
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:PHD63NQ03LT,118
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:920pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:9.6nC @ 5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 68.9A (Tc) 111W (Tc) Surface Mount DPAK
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V 68.9A DPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:68.9A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit