PSMN012-100YS,115
PSMN012-100YS,115
Osa numero:
PSMN012-100YS,115
Valmistaja:
Nexperia
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19115 Pieces
Tietolomake:
PSMN012-100YS,115.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä PSMN012-100YS,115, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma PSMN012-100YS,115 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa PSMN012-100YS,115 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:LFPAK56, Power-SO8
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:12 mOhm @ 15A, 10V
Tehonkulutus (Max):130W (Tc)
Pakkaus:Original-Reel®
Pakkaus / Case:SC-100, SOT-669
Muut nimet:1727-4289-6
568-4978-6
568-4978-6-ND
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:PSMN012-100YS,115
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:3500pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:64nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 100V 60A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit