Ostaa RFD3055LESM9A BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
RFD3055LESM9A
- Osa numero:
- RFD3055LESM9A
- Valmistaja:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19689 Pieces
- Tietolomake:
- RFD3055LESM9A.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä RFD3055LESM9A, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma RFD3055LESM9A sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±16V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-252AA |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 107 mOhm @ 8A, 5V |
| Tehonkulutus (Max): | 38W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Muut nimet: | RFD3055LESM9ATR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 6 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | RFD3055LESM9A |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 350pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 11.3nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 60V 11A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount TO-252AA |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 5V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat RFD3055LESM9A
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
RFD3055SM9A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK | tiedustelu |
 |
SI5475BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8 | tiedustelu |
|
RFD3055LESM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA | tiedustelu |
 |
RFD3055LE | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK | tiedustelu |
|
RFD3055SM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK | tiedustelu |
|
RFD3055 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 12A IPAK | tiedustelu |
 |
AOD3N40 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N CH 400V 2.6A TO252 | tiedustelu |
 |
BUK6E3R2-55C,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 120A I2PAK | tiedustelu |
|
IRLU3915PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK | tiedustelu |
 |
FCP380N60 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers