Ostaa RGTH80TS65DGC11 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
RGTH80TS65DGC11
- Osa numero:
- RGTH80TS65DGC11
- Valmistaja:
- LAPIS Semiconductor
- Kuvaus:
- IGBT 650V 70A 234W TO-247N
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 17302 Pieces
- Tietolomake:
- RGTH80TS65DGC11.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä RGTH80TS65DGC11, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma RGTH80TS65DGC11 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 650V |
|---|---|
| Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: | 2.1V @ 15V, 40A |
| Testaa kunto: | 400V, 40A, 10 Ohm, 15V |
| Td (päällä / pois) @ 25 ° C: | 34ns/120ns |
| Switching Energy: | - |
| Toimittaja Device Package: | TO-247N |
| Sarja: | - |
| Käänteinen Recovery Time (TRR): | 58ns |
| Virta - Max: | 234W |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-247-3 |
| Käyttölämpötila: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 15 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | RGTH80TS65DGC11 |
| Syötetyyppi: | Standard |
| IGBT Tyyppi: | Trench Field Stop |
| Gate Charge: | 79nC |
| Laajennettu kuvaus: | IGBT Trench Field Stop 650V 70A 234W Through Hole TO-247N |
| Kuvaus: | IGBT 650V 70A 234W TO-247N |
| Nykyinen - Collector Pulssi (ICM): | 160A |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 70A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat RGTH80TS65DGC11
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
STGP8NC60KD | STMicroelectronics | IGBT 600V 15A 65W TO220 | tiedustelu |
 |
IXGP15N120C | IXYS | IGBT 1200V 30A 200W TO220AB | tiedustelu |
 |
IRGP4269DPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V TO247 COPAK | tiedustelu |
 |
APT36GA60BD15 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 65A 290W TO-247 | tiedustelu |
 |
IXGH32N120A3 | IXYS | IGBT 1200V 75A 300W TO247 | tiedustelu |
 |
NGTB40N60FLWG | ON Semiconductor | IGBT 600V 80A 257W TO247 | tiedustelu |
 |
HGTG20N60B3D | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 40A 165W TO247 | tiedustelu |
 |
STGFW30H65FB | STMicroelectronics | IGBT 650V 60A 58W TO3PF | tiedustelu |
 |
IXXX200N65B4 | IXYS | IGBT 650V 370A 1150W PLUS247 | tiedustelu |
 |
FGH30N60LSDTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 60A 480W TO247 | tiedustelu |
 |
IXBF10N300C | IXYS | IGBT 3000V 29A 240W ISOPLUSI4 | tiedustelu |
 |
IXGQ96N30TCD1 | IXYS | IGBT 320V 96A TO3P | tiedustelu |
|
IXGX82N120A3 | IXYS | IGBT 1200V 260A 1250W PLUS247 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog