RJK6032DPH-E0#T2
RJK6032DPH-E0#T2
Osa numero:
RJK6032DPH-E0#T2
Valmistaja:
Renesas Electronics America
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 3A TO251
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14457 Pieces
Tietolomake:
RJK6032DPH-E0#T2.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä RJK6032DPH-E0#T2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma RJK6032DPH-E0#T2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa RJK6032DPH-E0#T2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:-
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-251
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:4.3 Ohm @ 1.5A, 10V
Tehonkulutus (Max):40.3W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Käyttölämpötila:150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:16 Weeks
Valmistajan osanumero:RJK6032DPH-E0#T2
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:285pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:9nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 600V 3A (Ta) 40.3W (Tc) Through Hole TO-251
Valua lähde jännite (Vdss):600V
Kuvaus:MOSFET N-CH 600V 3A TO251
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:3A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit