RN1316,LF
RN1316,LF
Osa numero:
RN1316,LF
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor
Kuvaus:
TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14901 Pieces
Tietolomake:
RN1316,LF.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä RN1316,LF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma RN1316,LF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa RN1316,LF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
transistori tyyppi:NPN - Pre-Biased
Toimittaja Device Package:USM
Sarja:-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):10k
Vastus - Base (R1) (ohmia):4.7k
Virta - Max:100mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:SC-70, SOT-323
Muut nimet:RN1316(TE85L,F)
RN1316(TE85LF)
RN1316(TE85LF)-ND
RN1316(TE85LF)TR
RN1316(TE85LF)TR-ND
RN1316,LF(B
RN1316,LF(T
RN1316LFTR
RN1316TE85LF
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:16 Weeks
Valmistajan osanumero:RN1316,LF
Taajuus - Siirtyminen:250MHz
Laajennettu kuvaus:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount USM
Kuvaus:TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:50 @ 10mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):500nA
Nykyinen - Collector (le) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit