RN1409,LF
RN1409,LF
Osa numero:
RN1409,LF
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor
Kuvaus:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W SMINI
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14869 Pieces
Tietolomake:
RN1409,LF.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä RN1409,LF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma RN1409,LF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa RN1409,LF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
transistori tyyppi:NPN - Pre-Biased
Toimittaja Device Package:S-Mini
Sarja:-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):22k
Vastus - Base (R1) (ohmia):47k
Virta - Max:200mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Muut nimet:RN1409(TE85L,F)
RN1409(TE85LF)TR
RN1409(TE85LF)TR-ND
RN1409,LF(B
RN1409,LF(T
RN1409LF(BTR
RN1409LF(BTR-ND
RN1409LFTR
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:12 Weeks
Valmistajan osanumero:RN1409,LF
Taajuus - Siirtyminen:250MHz
Laajennettu kuvaus:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount S-Mini
Kuvaus:TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W SMINI
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:70 @ 10mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):500nA
Nykyinen - Collector (le) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit