Ostaa RS1E180BNTB BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | TSMT8 |
Sarja: | - |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 4.9 mOhm @ 18A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 3W (Ta), 25W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | 8-SMD, Flat Lead |
Muut nimet: | RS1E180BNTBTR |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 10 Weeks |
Valmistajan osanumero: | RS1E180BNTB |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2400pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 46nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 30V 18A (Ta), 60A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount TSMT8 |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 30V 18A 8HSOP |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 18A (Ta), 60A (Tc) |
Email: | [email protected] |